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Materiales aplicados Anillo de cuarzo AMAT
Los anillos de cuarzo AMAT de Semixlab ofrecen una pureza ultraalta, lo que minimiza la contaminación y maximiza la integridad del proceso. Experimente una uniformidad superior de grabado, deposición y difusión, lo que resulta en un control y una consistencia del proceso inigualables. Esto se traduce en menos defectos, mayor rendimiento y, en definitiva, un ciclo de producción más rentable para su fábrica.
Descripción
Semixlab ofrece un anillo de cuarzo de alta precisión. Este producto se utiliza principalmente para garantizar la deposición estable de películas de alta calidad en el proceso PECVD, a la vez que maximiza la eficiencia de producción del equipo y el rendimiento de las obleas. La distribución del plasma está limitada por una precisión geométrica (±0.1 mm), el campo de flujo del gas de reacción está optimizado y la uniformidad de la película se ha mejorado a σ ≤ 1.5 %. Los subproductos del proceso de adsorción han reducido la tasa de defectos en las obleas en un 30 %.
Detalle rápido:
Apodos Anillo de cuarzo, portador de oblea de silicio, kit de anillo de cuarzo, kit de anillo de cuarzo, anillo de cámara superior, anillo de deposición PECVD, anillo de distribución de gas
Propósito: Garantizar la deposición estable de películas de alta calidad en el proceso PECVD, al tiempo que se maximiza la eficiencia de producción del equipo y el rendimiento de las obleas.
Parámetros básicos: Se recomienda especialmente para procesos de deposición de SiN (nitruro de silicio), cuarzo de alta pureza y servicios de recubrimiento especiales. Soporta temperaturas de 300 a 400 °C o más, resiste la erosión por plasma, presenta una pureza de cuarzo ≥99.99 %, un contenido de impurezas metálicas inferior a 5 ppm, un diámetro de burbuja/inclusión ≤0.1 mm y una cantidad ≤3 por centímetro cúbico.
Funciones y roles principales:
●Componentes clave de la cámara: Ubicados dentro de la cámara del proceso PECVD, forman un límite importante del área de reacción.
●Resistencia a altas temperaturas y plasma: Fabricado en cuarzo de alta pureza, presenta una excelente resistencia a altas temperaturas (la temperatura del proceso PECVD normalmente está dentro del rango de 300 °C a 400 °C+) y resistencia a la erosión del plasma.
●Aislamiento eléctrico: Desempeña un papel crucial en el aislamiento eléctrico dentro de la cámara, garantizando la generación estable de plasma y la uniformidad del proceso.
●Sellado de gas de proceso:Ayuda a mantener el sellado del entorno del gas de proceso dentro de la cámara.
●La definición del entorno del proceso de obleas: Su geometría y condición de la superficie afectan directamente la distribución del flujo de gas y plasma sobre la oblea, lo que es crucial para la uniformidad y calidad de la deposición de película delgada.
●Recubrimiento de superficie: Algunos anillos de cuarzo utilizados en procesos específicos (como SiN) pueden recubrirse con recubrimientos especiales (como óxido de itrio Yttria) para reducir aún más la deposición de subproductos o mejorar el rendimiento y la vida útil en procesos específicos.
Materiales aplicados Anillo de cuarzo AMAT Escenarios de aplicación
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