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Propiedad intelectual y patentes

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Acceda a nuestra completa biblioteca técnica. Desde especificaciones técnicas precisas hasta certificaciones de calidad internacionales, proporcionamos la transparencia necesaria para las cadenas de suministro de semiconductores de misión crítica.

Contenido: Una colección de nuestras patentes de invención principales (más de 8), que demuestran nuestro dominio original de los recubrimientos de gradiente CVD y la tecnología de SiC sólido. Estos documentos certifican nuestra independencia técnica y el cumplimiento de la normativa de propiedad intelectual.

Categoría técnica Título de la patente (invención) Patente No. Inventor clave Valor estratégico
Recubrimiento de TaC Componente de grafito con recubrimiento de gradiente TaC/Ta2C y su método de preparación. ZL202411703774.0 Profesor Shaolong He Mejora la resistencia al choque térmico y la adherencia en reactores de alta temperatura.
Equipo TaC Aparato para preparar recubrimientos de TaC sinterizado sobre sustrato de grafito. ZL202110992463.0 LW Zhou Sistema automatizado para el recubrimiento con carburo de tantalio de alta pureza.
Compuesto de SiC Método CVD para preparar recubrimientos compuestos de SiC sobre silicio monocristalino/policristalino. ZL202410071607.2 Profesor Shaolong He Fundamental para susceptores de epitaxia de alta gama y soportes de obleas.
Materiales nuevos Material compuesto de carburo de silicio/grafito y su método de preparación. ZL202410990154.3 Profesor Shaolong He Materiales base semiconductores de última generación, de alta resistencia y alta pureza.
CVD de baja temperatura Método para la preparación a baja temperatura de recubrimientos de SiC sobre superficies metálicas. ZL202311149201.3 Profesor Shaolong He Amplía la protección de SiC a componentes metálicos sensibles al calor.
CVD de baja temperatura Aparato para la preparación a baja temperatura de recubrimientos de SiC sobre superficies metálicas. ZL202110992466.4 LN Ding Componentes especializados para recubrimientos de precisión a bajas temperaturas.
Compuestos C/C Método para preparar recubrimientos de SiC para compuestos de carbono-carbono (C/C) ZL202410002048.X Profesor Shaolong He Mejora la resistencia a la oxidación de los componentes térmicos de larga duración.
I+D avanzado Aparato para la preparación de esponja de carburo de silicio mediante deposición química de vapor. ZL202210703163.0 Profesor Shaolong He Equipos patentados para el desarrollo de estructuras semiconductoras porosas.

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