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Susceptor de oblea recubierto de SiC
Detalle rápido:
Propósito: Diseñado específicamente para procesos de CVD de semiconductores (1000 °C - 1400 °C) y PVD de alta temperatura, proporciona una plataforma de soporte estable para obleas.
Parámetros principales: Rugosidad de la superficie Ra < 0.5 μm; alta dureza (>2500 HV); el coeficiente de expansión térmica (CTE) se ajusta con precisión (≈ 2.6 x 10⁻⁶/K), lo que elimina por completo la deformación o el deslizamiento de las obleas causados por la tensión térmica.
Descripción
Semixlab ofrece un susceptor de obleas de alto rendimiento. Este producto se aplica principalmente a equipos de CVD PVD de semiconductores para dar soporte a las obleas y prevenir daños y caídas accidentales causadas por el flujo de nitrógeno.
La base de carburo de silicio recubierta de SiC (susceptor recubierto de SiC) se usa ampliamente en semiconductores debido a sus características como resistencia a altas temperaturas, resistencia a la corrosión, alta pureza y menor contaminación de las obleas.
Aplicación:
Diseñado específicamente para procesos de CVD de semiconductores (1000 °C - 1400 °C) y PVD de alta temperatura, proporciona una plataforma de soporte estable para obleas.
Características principales:
Excelente estabilidad a altas temperaturas: soporta temperaturas extremas superiores a 1400 °C, lo que garantiza un posicionamiento preciso de la oblea sin ninguna desviación.
Protección súper fuerte: resiste eficazmente el impacto del flujo de nitrógeno >10 m/s y caídas accidentales, proporcionando la máxima protección para la oblea.
Excelente durabilidad: el recubrimiento de SiC ofrece alta dureza (>2500 HV) y resistencia a la corrosión, lo que prolonga la vida útil.
High-purity surface: Surface roughness Ra < 0.5 μm, reducing the risk of particle contamination.
Base de silicio (susceptor de silicio)
Application: Suitable for high-temperature processes of silicon wafers with extremely high requirements for thermal matching (such as epitaxial growth, <1200°C).
Características principales:
● Adaptación térmica perfecta: en consonancia con el material de la oblea (silicio monocristalino), el coeficiente de expansión térmica (CTE) se adapta con precisión (≈ 2.6 x 10⁻⁶/K), lo que elimina por completo la deformación o el deslizamiento de la oblea causados por la tensión térmica.
● Entrega rápida: el ciclo de entrega de los productos estándar se acorta significativamente, hasta 4-6 semanas (en comparación con las 8-12 semanas de las bases de SiC).
● Alta pureza: cumple con los estándares de materiales de silicio de grado semiconductor.
● Surface quality: Precisely polished, surface roughness Ra < 0.2 μm.
Especificaciones
| Propiedades físicas básicas del recubrimiento de SiC CVD | |
| Propiedad | Valor típico |
| Estructura cristalina | FCC fase β policristalino, orientado principalmente (111) |
| Densidad | 3.21 g / cm³ |
| Dureza | Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g) |
| Tamaño de grano | 2 ~ 10μm |
| Pureza química | 99.99995% |
| Capacidad de Calor | 640 J · kg-1·K-1 |
| Temperatura de sublimación | 2700 ℃ |
| Fuerza flexible | 415 MPa RT 4 puntos |
| El módulo de Young | 430 Gpa, curva de 4 puntos, 1300 ℃ |
| Conductividad térmica | 300W·m-1·K-1 |
| Expansión térmica (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Aplicaciones
Susceptor de grafito de crecimiento de capa epitaxial de SiC.
Desviación de entrada de gas y control del campo térmico en el horno de crecimiento epitaxial de SiC.
Tienda de productos Semixlab
