Susceptor de oblea única de SiC CVD

Escenarios de aplicación o equipos: Equipo epitaxial AMTA

Ultra alta pureza (≤100 ppb, certificado ICP-E10) y excepcional estabilidad térmica y química para el crecimiento de capas epitaxiales de GaN, SiC y silicio resistentes a la contaminación. Diseñado con tecnología CVD de precisión, admite obleas de 6", 8" y 12", garantiza una mínima tensión térmica y soporta temperaturas extremas de hasta 1600 °C.

Fuerza de la empresa

Semixlab Technology Co., Ltd. cuenta con dos centros de I+D, dos plantas de producción, 2 líneas de producción, más de 2 empleados y una inversión en I+D superior al 12 %. Nuestros productos se utilizan principalmente en las industrias de LED, circuitos integrados (CI), semiconductores de tercera generación, fotovoltaica y otras. Semixlab cuenta con sólidas capacidades de I+D, producción, pruebas y verificación integradas. Al mismo tiempo, mejoramos constantemente nuestra tecnología y equipos con una inversión anual de decenas de millones de dólares.

El susceptor de oblea única de SiC CVD se utiliza principalmente en equipos de epitaxia de silicio para materiales aplicados; el material es grafito importado + recubrimiento de SiC CVD.

Parámetros de especificación principales: recubrimiento de carburo de silicio y material de grafito:

Aplicaciones principales:

Como accesorio para equipos de epitaxia AMTA, podemos proporcionar susceptores para obleas de 6, 8 y 12 pulgadas.

Susceptor de oblea única de SiC CVD en equipo de epitaxia AMTA:

1. Soporte de obleas y homogeneización del campo térmico

Como función principal del susceptor de obleas individuales de SiC CVD en equipos de epitaxia AMTA, en MOCVD, CVD y otros equipos de epitaxia, el susceptor actúa como portador de obleas y transfiere uniformemente el calor a la superficie de la oblea mediante calentamiento por resistencia o calentamiento por radiofrecuencia para garantizar el crecimiento uniforme de las capas epitaxiales (por ejemplo, GaN, SiC).

Su diseño de alta conductividad térmica reduce el gradiente de temperatura entre el borde y el centro, controlando la uniformidad de la temperatura dentro de ±1°C y evitando defectos por tensión en el material.

2. Barrera contra la contaminación química

Los sustratos de grafito expuestos directamente a los gases de proceso tienden a oxidarse y formar CO₂ o polvo, contaminando la cámara de reacción. El recubrimiento de SiC mediante CVD actúa como una capa protectora que aísla el grafito de los gases corrosivos y reduce la contaminación por partículas en la superficie de la oblea.

Por ejemplo, en el proceso de epitaxia de GaN, el recubrimiento puede resistir eficazmente la erosión de precursores como NH₃ y TMGa, y garantizar la pureza de la película.

3. Adaptación de diversos procesos epitaxiales

Semiconductores de tercera generación: para epitaxia de SiC o GaN sobre sustratos de SiC, para cumplir con los requisitos de los dispositivos de alta potencia que requieren películas gruesas y bajas tasas de defectos.

Fabricación de micro-LED: para respaldar el posicionamiento de alta precisión y la gestión térmica de obleas de tamaño reducido (por ejemplo, 8 pulgadas) y para reducir la dispersión de la distribución de longitud de onda.

Características del material: excelente rendimiento del SiC depositado mediante CVD

1. Pureza ultra alta y estructura densa

El recubrimiento de carburo de silicio (SiC), depositado mediante deposición química de vapor (CVD), alcanza niveles de impurezas ≤100 ppb (estándar E10), según lo verificado por ICP-MS (espectrometría de masas con plasma acoplado inductivamente). Esta pureza ultraalta minimiza los riesgos de contaminación durante el crecimiento epitaxial, garantizando una calidad cristalina superior para aplicaciones críticas como la fabricación de semiconductores de banda prohibida ancha de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC).

La estructura del recubrimiento es densa y uniforme, con una baja rugosidad superficial, lo que reduce el riesgo de desprendimiento de partículas y cumple con los altos estándares exigidos en las salas blancas de semiconductores.

2. Resistencia ambiental extrema

Resistencia a altas temperaturas: Puede mantener la estabilidad fisicoquímica a 1600 °C, que es mucho mayor que el umbral de oxidación del sustrato de grafito (alrededor de 400 °C), prolongando significativamente su vida útil.

Resistencia a la corrosión: Extremadamente resistente a gases corrosivos como Cl₂, H₂ y erosión por plasma, adecuado para MOCVD, MBE y otros entornos de proceso adversos.

3. Excelente rendimiento térmico

Una conductividad térmica de hasta 300 W/mK garantiza que las obleas se calienten de manera uniforme, reduce la desviación del espesor de la capa epitaxial (por ejemplo, problemas de desplazamiento de longitud de onda) y mejora el rendimiento de los LED, dispositivos de potencia y otros productos.

El coeficiente de expansión térmica (4×10-⁶/K) es cercano al del sustrato de grafito, lo que evita el agrietamiento o desprendimiento del recubrimiento debido al cambio de temperatura.

4. Resistencia mecánica y durabilidad.

Resistencia a la flexión de hasta 470 MPa, capaz de soportar ciclos de alta y baja temperatura de alta frecuencia y estrés mecánico, reduciendo la frecuencia de mantenimiento.

En la actualidad, la pureza de nuestro recubrimiento de carburo de silicio puede alcanzar E10 en la prueba ICP, lo que equivale a unos 100 ppb, y este nivel de pureza se encuentra entre los más altos de China.