Tubo de horno de carburo de silicio

Semixlab ofrece sistemas de tubos de horno de SiC de pureza ultra alta, soluciones de campo térmico de grado semiconductor con una pureza de recubrimiento del 99.9999 % y entrega de línea completa.

Propuesta de valor central

Proporcionar un entorno térmico sin contaminación para la fabricación de obleas: 99.9 % de pureza de SiC del sustrato + 99.9999 % de pureza del revestimiento CVD, combinado con un sistema completo de paletas en voladizo de SiC y naves de obleas, para lograr una contaminación metálica cero en la cámara de proceso.

Diferentes nombres para productos:

Tubo de SiC para horno de alta temperatura; tubo de carburo de silicio; tubo de SiC de alta pureza; tubo de carburo de silicio para horno de difusión; tubo de carburo de silicio para proceso de difusión y LPCVD; tubo de SiC para RTP, tubo de SiC para oxidación

Especificaciones principales:

Pureza del material: El material base es carburo de silicio con una pureza de más del 99.9% y la pureza después del recubrimiento CVD es superior al 99.9999% (grado 6N).

Rendimiento térmico: Temperatura máxima de funcionamiento 1650 ℃ (a largo plazo), coeficiente de expansión térmica: 4.6 × 10⁻⁶/℃, uniformidad en la zona de temperatura constante: ±1.5 ℃ (1200 ℃);

Resistencia mecánica: Resistencia a la flexión 450Mpa (a temperatura ambiente).

Usos principales

Portador de campo térmico

Establecer un campo de temperatura estable y uniforme dentro del rango de 1200 ℃ a 1650 ℃ (la diferencia de temperatura en la zona de temperatura constante es ≤ ± 1.5 ℃)

Asegurar las condiciones termodinámicas de procesos como difusión, oxidación y recocido.

Barrera de aislamiento de la contaminación

Bloquear la difusión de iones metálicos (como Fe/Ni/Cu, etc.) a través de materiales de alta pureza (como SiC).

Prevenir la contaminación cruzada entre los gases de proceso y el ambiente externo.

Canal de gas de proceso

Controlar con precisión la dirección del flujo y la distribución de gases de reacción (como O₂/N₂/SiH₄, etc.)

Conseguir reacciones uniformes en fase gaseosa en la superficie de la oblea (como el crecimiento de SiO₂).

Recubrimiento fotovoltaico: Soporte para el transporte de obleas en procesos PECVD de células TOPCon/HJT.

Escenarios de aplicación

● Epitaxia

● Oxidación/Difusión

● Proceso LPCVD/PECVD

● Recocido de semiconductores compuestos III-V

Soluciones a los problemas de la industria

Nuestras soluciones abordan los puntos débiles de nuestros clientes:

1. Contaminación de partículas en procesos de alta temperatura: el recubrimiento 6N bloquea la precipitación de impurezas.

La sustitución frecuente de SiC en componentes de cuarzo aumenta la resistencia a la corrosión ocho veces.

2. Diseño de consistencia CTE para el desajuste de expansión térmica de los componentes del campo térmico en toda la serie de materiales de SiC.

3. Tratamiento de superficie ultrapulida de contaminación metálica en la parte posterior de la oblea (Ra 0.2 μm).

Ventajas principales de las especificaciones técnicas de los componentes:

1. Tubo de horno de SiC - Pureza del material base: carburo de silicio sinterizado del 99.9 %

▶ La resistencia al choque térmico se mejora 3 veces (enfriamiento rápido > 1600 ℃)

El coeficiente de expansión térmica es tan bajo como 4.6×10⁻⁶/℃

Recubrimiento a nanoescala: deposición CVD de SiC de alta pureza de grado 6N (99.9999 %)

▶ Bloqueo de la difusión de metales como Fe y Ni

▶ Rugosidad superficial Ra < 0.5 μm

2. Barco de obleas de SiC: compatible con obleas de 12 pulgadas

- Diseño de soporte de carga multicapa

▶ 100% de compatibilidad térmica con los tubos del horno

La tasa de contaminación de las obleas es inferior a 0.01 ppb.

3. Sistema de paletas voladizas: sustrato de grafito isostático + revestimiento de SiC

- Precisión de alineación automática ±0.1 mm

▶ Resistencia a la fluencia > 100,000 veces

La vibración de transmisión es inferior a 5 μm.

Aspectos tecnológicos disruptivos más destacados

La revolución de la pureza

Sistema de protección de dos niveles

La capa base es 99.9% SiC → para construir una estructura de alta resistencia

El CVD-SiC de nivel 6N en la capa funcional forma un sellado a nivel atómico.
barrera

Control de impurezas: Na/K < 0.1 ppm, metales pesados ​​< 5 ppb, cumpliendo los requisitos de procesos por debajo de 28 nm

Ventaja de sinergia del sistema

● Uniformidad del campo térmico: Diseño de triple acoplamiento térmico del tubo del horno + nave de oblea + paleta, la diferencia de temperatura en la zona de temperatura constante (> 1200 ℃) es ≤ ± 1.5 ℃

● Duplicación de la vida útil: toda la solución extiende la vida útil en un 40% en comparación con el sistema híbrido, con un MTBA que supera las 8,000 horas.