Portador de SiC sólido

El soporte de SiC sólido de Semixlab utiliza SiC monocristalino de alta pureza como sustrato y forma una capa protectora compuesta de SiC-C a escala nanométrica sobre la superficie mediante un proceso de recubrimiento patentado que reconstruye el límite de rendimiento del material del soporte a nivel molecular. Su excelente rendimiento se debe a la singular estructura cristalina del SiC y a sus características de enlace covalente.

Propiedades materiales

● Estabilidad térmica y resistencia a la temperatura extremadamente altas: El SiC presenta una excelente estabilidad a altas temperaturas y puede funcionar de forma estable en un entorno oxidante de hasta 1600 °C, y su temperatura de sublimación puede incluso alcanzar los 2700 °C. Esto convierte a los soportes de SiC en la opción ideal para el crecimiento epitaxial a alta temperatura, el recocido y otros procesos, superando con creces la tolerancia de los materiales tradicionales.

Excelente conductividad térmica: La conductividad térmica del SiC a temperatura ambiente alcanza los 120 W/m·K, tres veces la del silicio (Si). Su alta conductividad térmica garantiza que la oblea sobre el soporte alcance una distribución uniforme de la temperatura en procesos de alta temperatura, garantizando así la uniformidad de la calidad del crecimiento de la capa epitaxial y reduciendo la deformación y la tensión.

Excelente resistencia mecánica y dureza: El SiC presenta una dureza extremadamente alta (dureza Mohs 9.0-9.5, dureza Vickers 32 GPa), superada solo por el diamante, así como un alto módulo de Young (440 GPa) y una alta resistencia a la flexión (490 MPa). Esto confiere al soporte de SiC una gran resistencia al desgaste y la deformación durante impactos mecánicos y manipulación intensiva, prolongando así su vida útil.

¿Por qué elegir el portador de SiC sólido de Semixlab?

Capacidad de I+D y producción: Semixlab cuenta con dos centros de I+D, dos bases de producción, 2 líneas de producción, más de 2 empleados y una inversión en I+D superior al 12 %. Tiene capacidad para producir decenas de miles de productos de SiC al año.

● Ventajas técnicas: desarrollamos de forma independiente equipos y fórmulas de CVD, admitimos CVDSiC de alta pureza, TaC y otros recubrimientos y materiales de SiC sólido, el control de precisión CNC puede alcanzar los 3 μm, el contenido de cenizas es inferior a 5 ppm y el rendimiento del producto es líder en la industria.

● Sistema de suministro completo: Semixlab tiene una línea de síntesis de material de carburo de silicio independiente y una plataforma de procesamiento CNC de precisión, que puede proporcionar tamaños de Ø4" a Ø12" y personalizados, admite una entrega rápida y se adapta a las principales marcas de equipos como Veeco, AIXTRON y Applied Materials.

● Personalización y servicio integral: según las necesidades del cliente, podemos brindar servicios de proceso completo desde la selección de materiales, I+D, piloto hasta la producción en masa para satisfacer diversas necesidades de fabricación de semiconductores de alta gama.

● Mercado internacional y base de clientes: Semixlab ha establecido una cooperación a largo plazo con más de 30 clientes de fabricación de obleas y semiconductores compuestos en el país y en el extranjero, incluidos fabricantes de Mini LED, dispositivos de potencia SiC, MEMS y dispositivos RF.

El portador sólido de SiC se ha convertido en un consumible clave en los campos de la epitaxia de semiconductores, el encapsulado, los dispositivos de potencia, etc., gracias a sus excelentes propiedades materiales y rendimiento de proceso. Semixlab es un socio confiable que ofrece soluciones de portadores de SiC de alta calidad y eficiencia a clientes globales gracias a su sólida capacidad de I+D, fabricación y personalización.

Usos específicos en la fabricación de semiconductores

El excelente rendimiento del portador de SiC sólido lo convierte en un componente indispensable en diversos procesos clave de fabricación de semiconductores, especialmente adecuado para enlaces con requisitos extremadamente altos de temperatura, pureza, uniformidad y estabilidad mecánica. Sus aplicaciones más comunes son las siguientes:

1. Epitaxia

Epitaxia MOCVD: El portador de SiC es el componente principal del crecimiento de GaN, GaAs, SiC y otras películas semiconductoras compuestas en equipos MOCVD, como los portadores de susceptores de barril y de panqueque. Su alta conductividad térmica garantiza la uniformidad de la temperatura en la cámara de reacción, crucial para la uniformidad del espesor, la composición y el dopaje de la película. Su alta pureza e inercia química evitan eficazmente la contaminación por impurezas y garantizan las propiedades eléctricas y ópticas de la capa epitaxial, especialmente en la fabricación de LED, electrónica de potencia y dispositivos de radiofrecuencia.

Epitaxia de SiC: En la fabricación de dispositivos de potencia de SiC, los soportes de SiC son plataformas ideales para el crecimiento epitaxial de obleas de SiC. El coeficiente de expansión térmica, que se ajusta perfectamente al de las obleas de SiC, reduce eficazmente la tensión causada por los cambios de temperatura durante el proceso de epitaxia, lo que reduce la tasa de defectos y mejora la calidad de la capa epitaxial.

Epitaxia basada en silicio: En procesos avanzados de silicio, los portadores de SiC también se pueden utilizar en ciertos procesos de epitaxia de silicio que requieren una mayor uniformidad de temperatura y requisitos de limpieza.

2. Recocido

Recocido por activación a alta temperatura: Tras la implantación iónica, se utilizan portadores de SiC en procesos de recocido a alta temperatura para obleas de silicio o SiC con el fin de activar los dopantes implantados y reparar los daños en la red. La estabilidad a alta temperatura y la capacidad de calentamiento uniforme de los portadores de SiC garantizan la eficiencia del proceso de recocido y la integridad de la oblea.

Portadores RTP (recocido térmico rápido): en los equipos de recocido térmico rápido, los portadores de SiC pueden soportar los duros ciclos térmicos de calentamiento y enfriamiento rápidos y mantener la estabilidad estructural, lo que es adecuado para procesos avanzados como el recocido flash.

3. Implantación de iones

Portadores de dopaje y reparación: Los portadores de SiC se utilizan para fijar las obleas durante la implantación iónica. Su alta resistencia mecánica y al desgaste garantizan la estabilidad bajo el bombardeo de haces de iones. Al mismo tiempo, su baja generación de partículas también reduce la contaminación durante el proceso de implantación.

4. Otras aplicaciones

Proceso de grabado: En algunos procesos de grabado ICP (plasma acoplado inductivamente) o PSS (sustrato de zafiro modelado), los portadores de SiC se utilizan como accesorios de fijación de obleas o sustratos debido a su resistencia a la corrosión del plasma y sus características de partículas bajas.

Tubos/navegas de horno de alta pureza: en algunos hornos de difusión u oxidación de alta pureza, los materiales de SiC también se utilizan para fabricar tubos de horno o navegas de obleas para proporcionar un entorno de proceso extremadamente limpio.