Susceptor de oblea con recubrimiento de SiC CVD

Semixlab se centra en el desarrollo y la producción de recubrimientos de carburo de silicio (SiC) de alta pureza y se compromete a ofrecer soluciones de alto rendimiento para la industria de semiconductores. Mediante tecnología avanzada de deposición química en fase de vapor (CVD), ofrecemos servicios de recubrimiento personalizados para susceptores de obleas para garantizar su rendimiento superior en entornos de proceso extremos.

Formamos un recubrimiento de β-SiC de alta pureza (orientación cristalina (111)) sobre la superficie de sustrato de grafito de alta pureza mediante tecnología CVD. Este recubrimiento ofrece resistencia a temperaturas ultraaltas, resistencia a la corrosión y una distribución uniforme del calor. Es compatible con Aixtron, Veeco y otros equipos de crecimiento epitaxial convencionales, y se utiliza ampliamente en GaN/GaAs y otros procesos de crecimiento epitaxial.

El sustrato de la oblea con recubrimiento de SiC por CVD está hecho de grafito SGL de alta pureza, y un denso recubrimiento de carburo de silicio se extiende uniformemente sobre su superficie mediante deposición química en fase de vapor (CVD). Este proceso se realiza en una cámara de reacción de alta temperatura y garantiza la integridad cristalina a escala nanométrica del recubrimiento mediante el control preciso de la proporción de silicio (p. ej., metiltriclorosilano) y el gas de carbono, el gradiente de temperatura (normalmente entre 1000 °C y 1400 °C) y la velocidad de deposición. El espesor del recubrimiento se puede personalizar según los requisitos de la aplicación, desde unas pocas micras hasta decenas de micras, para cumplir con los requisitos de resistencia mecánica a temperaturas extremas, evitando al mismo tiempo el riesgo de agrietamiento por tensión debido a un espesor excesivo.

En el crecimiento epitaxial de LED, la bandeja de obleas debe soportar altas temperaturas instantáneas superiores a 1600 °C y ciclos térmicos rápidos. Gracias a su alto punto de fusión inherente (aproximadamente 2700 °C) y su bajo coeficiente de expansión térmica (4.5 × 10)^-6/K) y una excelente conductividad térmica (~120 W/m·K), el recubrimiento de SiC CVD puede mantener la estabilidad geométrica bajo fuertes fluctuaciones de temperatura y evitar la deformación de las obleas o las microfisuras causadas por la tensión térmica. Además, la inercia química del SiC le confiere una gran resistencia a la corrosión en gases corrosivos (como HCl, H₂) ambiente, reduciendo significativamente la contaminación de impurezas introducida por volatilización o reacciones secundarias durante el proceso, mejorando así la uniformidad de la capa epitaxial en la superficie de la oblea y el rendimiento del dispositivo.

The product is widely used in the third generation semiconductor manufacturing, high-power LED chip production. For example, in the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) process for GaN-on-SiC RF devices, the CVD SiC tray achieves temperature uniformity within ±1℃ of the wafer surface through precise thermal field distribution design, ensuring that the epitaxial layer thickness deviation is less than 1%. At the same time, its low particle release characteristics (particle density <0.1/cm²as measured by SEM-EDS) make it excellent in ultra-clean room environments, especially suitable for advanced process nodes sensitive to defects (such as assisted processes for logic chips below 5 nm).

En comparación con las bandejas de obleas tradicionales, la vida útil del hipnótico para obleas con recubrimiento CVD de SiC puede prolongarse de 3 a 5 veces. Sus características de autolimpieza superficial reducen la frecuencia de mantenimiento y, combinadas con la tecnología de redeposición local del recubrimiento reparable, reducen el ciclo de retorno de la inversión en más de un 40 %. Según datos de medición de la industria, la línea de producción epitaxial de SiC de 6 pulgadas que utiliza este producto puede reducir las fluctuaciones del proceso entre lotes en un 15 %, aumentar la capacidad de producción anual en un 20 % y reducir la tasa de desperdicios por contaminación a menos del 0.03 %.

Desde la investigación y el desarrollo en laboratorio hasta la producción a gran escala, el hipnótico de obleas con recubrimiento CVD de SiC de Semixlab siempre ha estado dirigido a los líderes de la industria. No solo es un consumible de proceso, sino también un pilar tecnológico en el campo de la fabricación de precisión a alta temperatura. Seguirá ofreciendo una garantía fiable para la fabricación de dispositivos de alta gama en campos de vanguardia como la comunicación 5G, la electrónica de potencia de nuevas energías y la computación cuántica.

Soporte de obleas y transferencia de calor en procesos MOCVD, incluidos LED azules y verdes, LED UV y LED UV profundo, etc., que se adapta a equipos de LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI, etc.

Tecnología líder: Proceso CVD para lograr orientación (111) β-SiC, tamaño de grano 2-10 μm, estructura densa.

Adaptación a entornos extremos: resistencia a la oxidación a alta temperatura, resistencia a la erosión del plasma, cenizas < 5 ppm.

Excelente gestión térmica: conductividad térmica de 300 W/m·K, CTE se adapta perfectamente al grafito para evitar el agrietamiento por tensión térmica.

Servicio de proceso completo: Soporte de procesamiento de sustrato, deposición de revestimiento, prueba y entrega en un solo lugar.