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Susceptor epi planetario TaC
| Lugar de origen: | China |
| Marca: | Semixlab |
| Modelo: | TPES0001 |
| Titulación: | ISO 9001, |
| Cantidad mínima de pedido: | 1pc |
| Precio: | Personalizado |
| Detalles del empaque: | Caja de exportación estándar |
| Tiempo de envio: | 30-45days |
| Formas de pago: | A negociar |
| Capacidad de la fuente: | 200 piezas por mes |
Descripción
El disco planetario Aixtron es un componente clave en los equipos de deposición química en fase de vapor metalorgánica (MOCVD), utilizado principalmente en el proceso de crecimiento de láminas epitaxiales de carburo de silicio (SiC). Su estructura central adopta un diseño compuesto de grafito de alta pureza y recubrimiento de carburo de tantalio (TaC).
Detalle rápido:
1. Otros nombres: disco planetario Aixtron, susceptor planetario recubierto de TaC, susceptor SiC Epi para reactor Aixtron
2. Aplicación: Para carburo de silicio (SiC) de alto rendimiento, nitruro de galio (GaN) y otros procesos epitaxiales de semiconductores de tercera generación.
3. Parámetros básicos:
La estructura permanece estable a 2000 ℃ para evitar la contaminación por volatilización del revestimiento de la cámara de reacción.
Resistencia eficaz a la erosión de gases precursores como SiH₄ y HCl. Reduce los defectos superficiales del sustrato.
La conductividad térmica de la estructura compuesta de grafito + TaC es cercana a la de la oblea de SiC (SiC: 490 W/m·K), lo que reduce la distorsión reticular causada por el estrés térmico.
La rugosidad superficial del recubrimiento de TaC es < 1 μm, lo que puede inhibir la caída de micropartículas y garantizar la calidad superficial de la capa epitaxial (densidad de defectos < 0.5/cm²).
Descripción del producto
El disco planetario Aixtron es un componente clave en los equipos de deposición química en fase de vapor metalorgánica (MOCVD), utilizado principalmente en el proceso de crecimiento de láminas epitaxiales de carburo de silicio (SiC). Su estructura central adopta un diseño compuesto de grafito de alta pureza y recubrimiento de carburo de tantalio (TaC).
Sustrato de grafito: proporciona una excelente conductividad térmica (~130 W/m·K) y una alta estabilidad de temperatura (temperatura > 2000℃) para garantizar una distribución uniforme del campo térmico en la cámara de reacción.
Recubrimiento de carburo de tantalio: La superficie de grafito se cubre mediante un proceso de deposición química de vapor (CVD) o sinterizado, generalmente de 30 a 100 um de espesor, para formar una barrera química densa.
El diseño está optimizado para el entorno de crecimiento epitaxial de SiC de alta temperatura (1500-1700 ℃) y altamente corrosivo (silano, HCl y otros gases), lo que mejora significativamente la estabilidad del proceso y el rendimiento de las obleas.
Comparación del rendimiento del recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) y carburo de silicio (SiC)
| Material de recubrimiento | Recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) | Recubrimiento de carburo de silicio (SiC) |
| punto de fusión | Punto de fusión 3880℃ (límite de temperatura superior) | Punto de fusión 2700℃ (fácil de descomponer a altas temperaturas) |
| Coeficiente de expansión térmica | Coeficiente de expansión térmica 6.3×10⁻⁶/K (mejor adaptación al grafito) | 4.5×10⁻⁶/K (fácil de agrietar debido al desajuste térmico) |
| Resistencia a la corrosión por vapor de silicio | Excelente resistencia a la corrosión por vapor de silicio (baja reactividad de TaC y Si) | pobre (a altas temperaturas, el SiC reacciona con Si para formar Si₂C en fase gaseosa) |
| Riesgo de contaminación por partículas | Riesgo muy bajo de contaminación por partículas (recubrimiento denso sin poros) | Alto (recubrimiento propenso a pelarse localmente) |
| Dura toda la vida | Vida útil > 5000 horas (ciclo de mantenimiento extendido superior al 50%) | Acerca horas 2000-3000 |
Compatibilidad de producción
Adaptado a la plataforma Aixtron G5 WW C y Prophet, puede transportar obleas de 6/8 de pulgada con una capacidad de > 30 obleas/lote.
Valor técnico y relevancia para la industria
El susceptor planetario recubierto de grafito + carburo de tantalio resuelve el problema del cuello de botella del recubrimiento de SiC tradicional en el proceso de alta temperatura a largo plazo:
Optimización de costes: ampliar el ciclo de reposición de consumibles y reducir el coste epitaxial de una sola pieza en más de un 20%;
Mejora del rendimiento: reduce la contaminación de partículas y el efecto de punto de calor, y promueve que el rendimiento de la lámina epitaxial supere el 95%;
Ampliación de la ventana de proceso: admite tasas de crecimiento más altas (> 50 μm/h) y capas epitaxiales más gruesas.
A medida que la capacidad global de SiC se actualiza a 8 pulgadas, esta tecnología será un camino fundamental para superar el cuello de botella de la consistencia epitaxial.
Especificaciones
| Propiedades físicas del recubrimiento de TaC | |
| Densidad | 14.3 (g/cm³) |
| Emisividad específica | 0.3 |
| Coeficiente de expansión térmica | +6.3 10-6/K |
| Dureza (HK) | 2000 HK |
| los arañazos | 1×10-5 Ohm*cm |
| Estabilidad térmica | |
| Cambios en el tamaño del grafito | -10~-20 um |
| Espesor de revestimiento | Valor típico ≥20 um (35 um ± 10 um) |
| Conductividad térmica | 9-22(W/m·K) |
| Propiedades físicas del grafito isostático | ||
| Propiedad | Unidad | Valor típico |
| Densidad aparente | g / cm³ | 1.83 |
| Dureza | HSD | 58 |
| La resistividad eléctrica | μΩ.m | 10 |
| Fuerza flexible | MPa | 47 |
| Fuerza compresiva | MPa | 103 |
| Resistencia a la tracción | MPa | 31 |
| Módulo de Young | GPa | 11.8 |
| Expansión térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
| Conductividad térmica | W·m-1·K-1 | 130 |
| Tamaño medio de grano | micras | 8-10 |
Aplicaciones
Epitaxia del dispositivo de potencia de carburo de silicio
Es adecuado para el crecimiento epitaxial homogéneo de 4H-SiC, que se utiliza para fabricar dispositivos MOSFET e IGBT de alto voltaje por encima de 1200 V.
La demanda de vehículos de nueva energía, inversores fotovoltaicos, transporte ferroviario y otros campos ha aumentado.
Desarrollo de semiconductores de tercera generación
Admite el proceso de heteroepitaxia de GaN sobre SiC para dispositivos de RF 5G y chips de comunicación de ondas milimétricas.
Ventaja Competitiva
Resumen de las principales ventajas:
El recubrimiento de TaC es superior al recubrimiento de SiC tradicional en términos de resistencia a la corrosión a alta temperatura, adaptación térmica y larga vida útil, especialmente adecuado para entornos de enriquecimiento de vapor de silicio en crecimiento epitaxial de SiC.
Resistencia al calor extremo:
La estructura permanece estable a 2000 ℃ para evitar la contaminación por volatilización del revestimiento de la cámara de reacción.
Resistencia química:
Resistencia eficaz a la erosión de gases precursores como SiH₄ y HCl. Reduce los defectos superficiales del sustrato.
Uniformidad del campo térmico:
La conductividad térmica de la estructura compuesta de grafito + TaC es cercana a la de la oblea de SiC (SiC: 490 W/m·K), lo que reduce la distorsión reticular causada por el estrés térmico.
Baja emisión de contaminación:
La rugosidad de la superficie del recubrimiento de TaC es < 1 μm, lo que puede inhibir la caída de micropartículas y garantizar la calidad de la superficie de la capa epitaxial (densidad de defectos < 0.5/cm²).
