Crisol de cerámica de SiC

El crisol cerámico de SiC sirve como recipiente crítico de contención y reacción en procesos como el crecimiento de cristales de SiC y GaN, la deposición epitaxial, la difusión y el recocido a alta temperatura, donde la pureza, la estabilidad y la uniformidad de la temperatura determinan directamente el rendimiento de las obleas y la calidad del cristal.

Características del material

● Composición del material: SiC sinterizado ultrapuro o SiC CVD (≥99.9%)

● Densidad y microestructura: Estructura totalmente densa, de grano fino y no porosa para una impermeabilidad superior a los gases.

● Estabilidad térmica: Excelente rendimiento hasta 2000 °C en atmósferas de gas inerte o reactivo.

● Conductividad térmica: 120–200 W/m·K, lo que garantiza una uniformidad de temperatura superior.

● Resistencia a la corrosión: Excelente estabilidad en gases de proceso a base de hidrógeno, cloro y halógenos.

● Acabado superficial: Pulido espejo y limpiado con plasma para minimizar la generación de partículas

Aplicaciones clave en la fabricación de semiconductores

El crisol cerámico de SiC desempeña un papel vital en varias etapas de la fabricación de semiconductores, entre ellas:

1. Crecimiento de cristales y epitaxia

Utilizados en sistemas de crecimiento epitaxial PVT (Transporte Físico de Vapor) y CVD, los crisoles de SiC proporcionan un contenedor estable y no reactivo para los materiales de origen y los cristales en crecimiento.

Su alta pureza y coeficiente de expansión térmica correspondiente minimizan la contaminación y la tensión, lo que garantiza la formación de cristales sin defectos para sustratos de SiC, GaN y Ga₂O₃.

2. Difusión y recocido a alta temperatura

En los procesos de tratamiento térmico, difusión y oxidación, los crisoles de SiC mantienen su forma e integridad química bajo ciclos térmicos extremos, evitando la desgasificación y la liberación de partículas que pueden comprometer la calidad de las obleas.

3. Sinterización de materiales y procesamiento de polvos

Los crisoles de SiC también son ideales para la sinterización de polvos de grado semiconductor, ya que ofrecen inercia química a altas temperaturas y estabilidad dimensional en condiciones de vacío o atmósfera controlada.

Ventajas de Semixlab

En Semixlab Semiconductor, ofrecemos más que componentes: brindamos soluciones de ingeniería integrales para satisfacer las exigentes demandas de la fabricación de semiconductores.

1. Diseño personalizado

● Geometría, espesor y configuración de entrada de gas del crisol a medida.

● Compatible con los principales sistemas de crecimiento de cristales y CVD (LPE, PVT, AIXTRON, Veeco, etc.).

2. Consulta técnica

● Contamos con científicos de materiales e ingenieros de procesos internos con más de 20 años de experiencia en la industria.

● Soporte para diseño térmico, simulación de flujo de gas y ajuste de procesos.

3. Control de calidad previo a la entrega

● Cada crisol se somete a una inspección dimensional de precisión, una prueba de fugas de helio y un análisis de rugosidad superficial.

● Servicios opcionales de recubrimiento protector CVD y pulido espejo para una mayor vida útil y limpieza.

El crisol cerámico de SiC de Semixlab establece un nuevo estándar en estabilidad térmica, pureza y durabilidad química para el procesamiento avanzado de semiconductores. Con opciones de diseño personalizadas, asesoramiento técnico y una rigurosa inspección previa al envío, Semixlab garantiza que cada producto cumpla con los exigentes requisitos de las aplicaciones de semiconductores de alta temperatura y alta pureza. Esperamos sus consultas.