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Barco de obleas de SiC de alta pureza
Como fabricante y proveedor líder en China de obleas de carburo de silicio de alta pureza, la oblea de carburo de silicio de Semixlab se utiliza ampliamente en procesos clave como LPCVD, oxidación y recocido, gracias a su excelente estabilidad térmica, resistencia a la corrosión y resistencia mecánica. Si busca una oblea de carburo de silicio que minimice la contaminación por partículas, prolongue su vida útil y garantice la seguridad de las obleas, este producto es la opción ideal.
Descripción
En la fabricación de semiconductores, los procesos de alta temperatura plantean grandes desafíos a los soportes de obleas. Cuando la temperatura supera los 1600 °C, el soporte de cuarzo tradicional (la naveta de cuarzo utilizada en las obleas) comienza a ablandarse, deformarse y liberar contaminantes, lo que provoca un aumento vertiginoso de la tasa de desechos de obleas.
La oblea de SiC de alta pureza, con las ventajas materiales inherentes del carburo de silicio (SiC), resuelve por completo este problema de la industria y se convierte en una herramienta esencial para la fabricación avanzada de semiconductores, especialmente la producción de dispositivos de potencia de SiC.
Especificaciones
Propiedades físicas principales y parámetros técnicos del producto:
| Indicadores de desempeño | Barco de obleas de SiC de alta pureza | Portador de cuarzo tradicional | Ventajas mejoradas |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 1800 °C (continuo) / 2000 °C (pico) | 1200 ° C | Resistencia a la temperatura mejorada en un 50% |
| Conductividad térmica | 4.9 W/cm·K (temperatura ambiente) | 1.5 W / cm·K | La eficiencia de disipación de calor aumentó un 226% |
| Coeficiente de expansión termal | 4-5 × 10⁻⁶/K | 0.55 × 10⁻⁶/K | Estabilidad térmica mejorada 7 veces |
| Dureza | Mohs 9.2 (solo superado por el diamante) | mohs 7 | Resistencia al desgaste mejorada 30 veces |
| Tensión del punto de contacto de la oblea | <5 MPa (diseño antideslizante) | > 20 MPa | La tasa de deslizamiento de las obleas se redujo en un 80 % |
| Liberación de partículas | 0 partículas/cm² (limpieza clase 100) | >50 partículas/cm² | Contaminación cercana a cero |
El excelente rendimiento del soporte de oblea de carburo de silicio (SiC Wafer Carrier) se debe a sus propiedades únicas en la ciencia de los materiales. A continuación, se presenta una comparación detallada de los parámetros físicos clave:
Estos parámetros se traducen directamente en un mejor rendimiento y una reducción de costes en la fabricación de semiconductores, como se muestra a continuación:
Ventaja en rendimiento térmico: La amplia banda prohibida del SiC (3.26 eV) garantiza que mantenga una estructura cristalina estable a 2000 °C y evita la deformación térmica. Su alta conductividad térmica (4.9 W/cm·K) permite un calentamiento más uniforme de la oblea y elimina los defectos de red causados por la tensión térmica.
Resistencia mecánica: La dureza de 9.2 Mohs resiste el impacto físico durante el proceso y su vida útil es más de 10 veces superior a la de los soportes de cuarzo tradicionales. El exclusivo diseño de ranura semicircular controla la tensión de contacto de la oblea por debajo de 5 MPa, eliminando así el fenómeno de deslizamiento a alta temperatura.
Inercia química: La tolerancia a gases altamente corrosivos como HF y HCl supera las 10,000 horas y se mantiene cero contaminación en LPCVD, difusión, oxidación y otros procesos.
Aplicaciones
El papel clave de la nave de obleas de SiC de alta pureza
Nuestra nave de obleas de SiC de alta pureza se utiliza ampliamente en los siguientes procesos clave de fabricación de semiconductores:
Recocido de alta temperatura: En la línea de producción de obleas de SiC, el recocido a alta temperatura es un paso clave para activar dopantes y reparar defectos de red. La estabilidad a alta temperatura de las obleas de SiC garantiza la uniformidad y eficacia del proceso de recocido.
Crecimiento epitaxial: Ya sea epitaxia a base de silicio o epitaxia de oblea de carburo de silicio, la resistencia a altas temperaturas y la resistencia a la corrosión de la oblea de SiC la convierten en un portador ideal para garantizar un crecimiento de capa epitaxial de alta calidad.
Difusión: En el horno de difusión de alta temperatura, la nave de obleas de SiC en la nave de obleas LPCVD puede soportar un tratamiento de alta temperatura a largo plazo para garantizar una difusión uniforme de los átomos dopantes y formar propiedades eléctricas precisas.
Deposición de película delgada: Especialmente para aplicaciones de naves de obleas Lpcvd, el desprendimiento de partículas extremadamente bajo y la excelente conductividad térmica de las naves de obleas de SiC ayudan a obtener películas de alta calidad y alta uniformidad.
Equipos compatibles y compatibilidad de procesos:
✔ Compatible con los principales hornos LPCVD (como TEL, Kokusai, ASM, SVG, Tystar, etc.)
✔ Especificaciones de oblea personalizables como 100 mm/150 mm/200 mm
✔ Admite instalación de equipos de proceso horizontales y verticales
La nave de obleas de SiC de Semixlab es una opción ideal para mejorar la eficiencia de su proceso y el rendimiento del producto, y es líder en soluciones avanzadas de naves de obleas de semiconductores.
Nuestros Servicios
Tienda de productos Semixlab
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