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Cerámica de SiC
Brazos cerámicos de carburo de silicio
brazo cerámico de SiC
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Brazos de cerámica de carburo de silicio


El efector final de cerámica de carburo de silicio (SiC) de Semixlab es un componente de manipulación de obleas de última generación diseñado para la fabricación de obleas de 300 mm (12 pulgadas) y nodos avanzados (<7 nm). Fabricado con SiC de alta pureza y completamente densificado mediante rectificado de diamante de ultraprecisión, los brazos de SiC de Semixlab permiten a los fabricantes de equipos originales (OEM) y a las fábricas de semiconductores maximizar la producción de obleas por hora (WPH) y el rendimiento general de la máquina.

Mareas Ideales para Lecciones

Descripción general del producto

A medida que la fabricación de chips semiconductores avanza hacia nodos lógicos de 3 nm/2 nm y arquitecturas NAND 3D de alta densidad, los sistemas de transferencia de obleas se enfrentan a desafíos extremos en cuanto al control de partículas, la deflexión de las palancas y el tiempo de estabilización de las vibraciones. Las aleaciones de aluminio tradicionales y los brazos cerámicos de alúmina resultan insuficientes en entornos de plasma corrosivos, de alta frecuencia y alta temperatura.

Los efectores finales de cerámica de carburo de silicio (SiC) de Semixlab se fabrican con SiC de alta pureza, recristalizado y unido por reacción, procesado mediante mecanizado de precisión con diamante de última generación y un intrincado trazado de microcanales. Al funcionar como la "estructura y las yemas de los dedos" definitivas para la manipulación de obleas, los brazos de SiC de Semixlab reducen significativamente los tiempos de intercambio de obleas, eliminan el desprendimiento de partículas y maximizan el rendimiento y la productividad de las máquinas en equipos de litografía, grabado, CVD/ALD y procesamiento térmico.


Ventajas y características clave

1. Rigidez específica ultra alta para sedimentación submicrométrica.

Con un módulo de Young de 420 a 450 GPa y una densidad ligera >3.10 g/cm³, el SiC de Semixlab ofrece una rigidez específica superior a la de la alúmina y las aleaciones de aluminio. La vibración residual durante las operaciones de recogida y colocación a alta velocidad se elimina prácticamente por completo, lo que reduce el tiempo de estabilización en más del 60 % y permite una productividad máxima por hora (WPH).

2. Excelente resistencia a la corrosión por plasma y química.

En presencia de gases de grabado agresivos (como NF3, CF4 y Cl2) y plasma reactivo de alta energía, el SiC de Semixlab presenta una estabilidad química prácticamente inerte. Elimina la degradación superficial y el desprendimiento de partículas, protegiendo las obleas sensibles de la contaminación por iones metálicos (Al, Fe) y micropartículas.

3. Alta estabilidad térmica y deformación térmica nula.

Gracias a un bajo coeficiente de expansión térmica (CTE) que se asemeja mucho al del silicio monocristalino, combinado con una resistencia superior al choque térmico, los brazos de SiC de Semixlab mantienen una estabilidad dimensional submicrométrica sin deformaciones ni alabeos al entrar en cámaras de procesamiento de 400 °C a más de 1000 °C o durante el procesamiento térmico rápido (RTP).

4. Diseños personalizados de microfluidos y sistemas de sujeción por vacío

Admite configuraciones de sujeción por vacío, manipulación sin contacto Bernoulli y Edge Grip (EBR). Su estructura cerámica densa y sin poros permite integrar microconductos internos sin fugas de vacío ni pérdida de presión.


¿Por qué elegir Semixlab?

1. Integración vertical: desde el polvo en bruto hasta el rectificado CNC de precisión.

Contamos con capacidades de fabricación integrales, desde formulaciones patentadas de SiC de alta pureza y técnicas de sinterización hasta rectificado de diamante CNC multieje, lo que nos permite mecanizar complejos canales de vacío microfluídicos internos.

2. Riguroso control de calidad y embalaje para salas blancas con cero partículas.

Equipados con máquinas de medición por coordenadas (CMM), ensayos no destructivos (END) y perfilómetros de superficie. Todos los componentes se someten a una limpieza ultrasónica de ultra alta pureza en salas blancas de clase 10/100 y se sellan al vacío para una instalación inmediata plug-and-play.

3. Codiseño ágil y creación rápida de prototipos

Tanto si eres un fabricante de equipos originales (OEM) global que desarrolla herramientas de última generación como si eres una fábrica que busca soluciones de segunda mano o de localización, Semixlab ofrece simulaciones de análisis de elementos finitos (FEA) en 48 horas y entrega rápida de prototipos en 2 o 3 semanas.

Especificaciones

A continuación se muestran las especificaciones estándar. Semixlab ofrece servicios de diseño y fabricación OEM/ODM totalmente personalizados, adaptados a sus necesidades específicas de herramientas:

Parámetro Valor de especificación Estándar de prueba / Notas
Material SiC densificado de alta pureza Pureza > 99.5%
Densidad > 3.10 g / cm3 Densidad a granel
El módulo de Young 420 ~ 450 GPa Temperatura ambiente
Fuerza flexible > 450 MPa Método de flexión de 4 puntos
CTE (Coeficiente de Expansión Térmica) 4.0~4.4x10⁻⁶/K 20 °C ~ 1000 °C, compatible con Si
Conductividad Térmica >120 W/m²K distribución uniforme del calor
Temperatura de Funcionamiento -196 ° C hasta 1400 ° C Vacío / Atmósfera de gas inerte
Rugosidad superficial Ra ≤0.2 µm Pulido hasta obtener un acabado de espejo bajo pedido.
Planitud / Rectitud < 0.02 mm (longitud total) Rectificado de diamante de ultraprecisión
Compatibilidad del tamaño de las obleas 200 mm (8") / 300 mm (12") / 450 mm Se admite el empaquetado a nivel de panel (PLP).
Aplicaciones

Escenarios de aplicación de destino

Los brazos cerámicos de SiC de Semixlab están totalmente integrados en los equipos de procesamiento de semiconductores frontales más utilizados:

Sistemas de litografía y EUV: Se utiliza en escáneres EUV/ArFi y módulos EFEM. Su rigidez ultraelevada minimiza la vibración residual durante la transferencia para garantizar la máxima precisión de alineación y un rendimiento óptimo.

Cámaras de grabado en seco: Se utilizan como brazos de transferencia entre la cámara de carga y la cámara principal. Resisten el bombardeo directo de plasma y los gases de haluro, evitando la generación de partículas inducidas por el grabado.

Deposición de películas delgadas (CVD / ALD / PVD): Se introduce directamente en cámaras de deposición al vacío de 400 °C a 800 °C sin deformación térmica ni fugas de vacío a través de canales internos.

Procesamiento térmico (RTP / Difusión / Recocido): Resiste velocidades extremas de calentamiento/enfriamiento (> 100 °C/seg). Mantiene su planitud a más de 1000 °C para evitar el deslizamiento y la deformación de la oblea.

Limpieza en húmedo y CMP: Resiste ácidos agresivos (SPM, HF) y productos químicos abrasivos en suspensión, evitando la contaminación cruzada durante la manipulación de las obleas.

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