Porta-obleas de SiC CVD

En la epitaxia de semiconductores compuestos, como GaN sobre silicio, GaN sobre zafiro o la fabricación de microLEDs, el soporte de la oblea (a veces llamado susceptor recubierto de SiC) es una pieza fundamental. Se sitúa entre el calentador y la oblea y gestiona la mayor parte de la transferencia térmica.

¿Por qué los ingenieros eligen los soportes para obleas de SiC de Semixlab?

● Pureza 7 (metales totales < 5 ppm): Utilizamos un proceso CVD patentado (desarrollado por el Prof. Shaolong He) que mantiene los metales traza como Fe, Cu y Ni en niveles muy bajos. Esto significa menos defectos de red durante el crecimiento de GaN, un material sensible.

● Excelente uniformidad térmica (±1 %): la película de SiC CVD presenta una alta conductividad térmica (~300 W/m·K). El calor se distribuye de forma rápida y uniforme, lo que contribuye a reducir la deformación de la oblea y las tensiones térmicas.

● Fuerte resistencia a la corrosión por H₂ y NH₃: a diferencia del grafito o cuarzo sin recubrimiento, nuestro denso recubrimiento de SiC permanece inerte bajo flujos de amoníaco e hidrógeno a alta temperatura (900–1200 °C). Menor desprendimiento de partículas y una vida útil de 3 a 5 veces mayor.

● Ajuste del coeficiente de dilatación térmica (CTE): una capa de transición con gradiente especial mantiene el coeficiente de dilatación térmica entre el recubrimiento y el grafito perfectamente ajustado. No se produce deslaminación ni agrietamiento, incluso durante aceleraciones y desaceleraciones rápidas.

Escenarios de aplicación clave

● Epitaxia de GaN sobre silicio / GaN sobre zafiro: importante para dispositivos de potencia y chips de RF, donde la estabilidad térmica local afecta directamente la movilidad eléctrica de la capa de GaN.

● MicroLED y pantallas avanzadas: requieren una pureza ultra alta y muy pocas partículas, características que nuestro soporte proporciona para matrices de LED de alta densidad.

● Crecimiento de cristales de SiC (PVT): funciona como un soporte de alto rendimiento para el material fuente de SiC y puede admitir velocidades de crecimiento de hasta ~1.46 mm/h.

● Procesamiento térmico rápido (RTP): el soporte puede soportar choques térmicos extremos durante ciclos de recocido rápidos sin microfisuras.

Ventajas de Semixlab

No somos solo un proveedor; nos esforzamos por ser un verdadero socio para sus necesidades en el campo térmico. Semixlab fue fundada por investigadores de la Academia China de Ciencias y contamos con más de 12 líneas de producción CVD especializadas. Además, disponemos de mecanizado CNC de 5 ejes propio, lo que nos permite fabricar soportes para obleas con tolerancias de hasta ±0.01 mm. Esto significa que se integran perfectamente en sus conjuntos de herramientas globales sin necesidad de ajustes adicionales.