Anillos de sellado de grafito isostático de alta pureza
Los anillos de sellado de grafito isostático de alta pureza de Semixlab están diseñados para garantizar un funcionamiento estable y sin contaminación en equipos avanzados de fabricación de semiconductores. Fabricados con grafito prensado isostático de ultraalta pureza, estos anillos de sellado ofrecen un rendimiento de sellado fiable en entornos de alta temperatura, alto vacío y químicamente agresivos, comunes en procesos de epitaxia, CVD/LPCVD/PECVD, difusión, oxidación, RTP y grabado. Los anillos de sellado de grafito de Semixlab ayudan a mantener la estabilidad del proceso, reducen el riesgo de contaminación por partículas y metales, y prolongan los ciclos de mantenimiento de los equipos. Agradecemos sus consultas.
Descripción
Los anillos de sellado de grafito isostático de alta pureza de Semixlab están fabricados con grafito prensado isostáticamente de pureza ultra alta; estos anillos de sellado brindan un rendimiento de sellado estable y de baja contaminación que respalda directamente la confiabilidad del proceso, la consistencia del rendimiento y el tiempo de actividad del equipo en procesos avanzados de fabricación de obleas de primera línea.
En sistemas de epitaxia, donde el control preciso del flujo de gas, la estabilidad de la presión y la uniformidad térmica son esenciales, los anillos de sellado de grafito isostático de alta pureza de Semixlab desempeñan un papel fundamental para mantener la integridad del reactor a temperaturas sostenidas que a menudo superan los 1000 °C. Instalados en interfaces de cámara, límites de sellado y juntas giratorias o estacionarias dentro de la zona caliente, estos anillos de sellado presentan una expansión térmica baja e isotrópica, lo que les permite mantener la estabilidad dimensional durante ciclos térmicos repetidos. Su contenido excepcionalmente bajo de impurezas metálicas minimiza el riesgo de incorporación accidental de dopantes o contaminación metálica, lo que ayuda a garantizar un espesor uniforme de la capa epitaxial, perfiles de dopaje controlados y un crecimiento cristalino de alta calidad en procesos de epitaxia de semiconductores de silicio y compuestos.
En aplicaciones de CVD, LPCVD y PECVD, los componentes de sellado se exponen a una combinación de alta temperatura, vacío, gases precursores corrosivos y, en algunos casos, entornos de plasma. Los anillos de sellado de grafito isostático de alta pureza de Semixlab se utilizan ampliamente en sellos de puertas de cámaras, estructuras de aislamiento de gases y zonas de transición entre las regiones caliente y fría del reactor. La resistencia química intrínseca del grafito de alta pureza permite un funcionamiento estable en presencia de gases de proceso agresivos como HCl, NH₃ y precursores halógenos, mientras que su microestructura densa e isótropa reduce la generación de partículas y la degradación mecánica durante una vida útil prolongada. En comparación con las soluciones de sellado metálicas, los anillos de sellado de grafito ofrecen una resistencia superior a la corrosión y la fatiga térmica, lo que contribuye a intervalos de mantenimiento más largos y a una mejor repetibilidad del proceso en la fabricación a gran escala.
La difusión a alta temperatura, la oxidación y el procesamiento térmico rápido imponen exigentes exigencias al rendimiento del sellado debido a las temperaturas extremas, las rápidas rampas térmicas y los frecuentes ciclos de proceso. En estos entornos, los anillos de sellado de grafito isostático de alta pureza de Semixlab mantienen una integridad de sellado constante a temperaturas superiores a 1100 °C, lo que facilita un control atmosférico estable en los tubos de hornos y cámaras RTP. Las propiedades mecánicas uniformes que proporciona el prensado isostático ayudan a prevenir la concentración localizada de tensiones, las microfisuras y la distorsión del sello durante el calentamiento y enfriamiento rápidos, lo que contribuye a la estabilidad de los perfiles de difusión de dopantes, el crecimiento uniforme de óxido y la repetibilidad de los resultados del proceso térmico, cruciales para la fabricación de dispositivos lógicos y de memoria avanzados.
En el proceso de grabado, incluyendo las aplicaciones de grabado en seco que utilizan productos químicos halógenos y entornos asistidos por plasma, se requieren anillos de sellado para mantener la integridad del vacío, a la vez que limitan la generación de partículas y la degradación química. Los anillos de sellado de grafito isostático de alta pureza de Semixlab se utilizan habitualmente en zonas de exposición no directa al plasma, como las interfaces de sellado de la periferia de la cámara y las regiones de aislamiento estructural. Al combinarse con la densificación superficial o los recubrimientos protectores adecuados, estos anillos de sellado proporcionan una resistencia fiable a los gases de grabado corrosivos y al estrés térmico, lo que contribuye a la estabilidad de la cámara y reduce el riesgo de pérdida de rendimiento relacionada con la contaminación.
Diseñados con un enfoque en la pureza del material, la estabilidad estructural y la fiabilidad a largo plazo, los anillos de sellado de grafito isostático de alta pureza de Semixlab, compatibles con tecnologías de recubrimiento avanzadas e integrados en arquitecturas complejas de equipos semiconductores, los convierten en una solución confiable tanto para nodos de proceso de vanguardia como para los más experimentados. Al ofrecer un rendimiento de sellado constante en las condiciones de proceso más exigentes, Semixlab ayuda a los fabricantes de semiconductores a lograr un mayor rendimiento, una mejor utilización de los equipos y un menor coste total de propiedad. Esperamos sinceramente convertirnos en su socio a largo plazo en China.
Especificaciones
| Propiedades físicas del grafito isostático | ||
| Propiedad | Unidad | Valor típico |
| Densidad aparente | g / cm³ | 1.83 |
| Dureza | HSD | 58 |
| La resistividad eléctrica | μΩ.m | 10 |
| Fuerza flexible | MPa | 47 |
| Fuerza compresiva | MPa | 103 |
| Resistencia a la tracción | MPa | 31 |
| Módulo de Young | GPa | 11.8 |
| Expansión térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
| Conductividad térmica | W·m-1·K-1 | 130 |
| Tamaño medio de grano | micras | 8-10 |
| Porosidad | % | 10 |
| Contenido de cenizas | ppm | ≤5 (después de la purificación) |
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