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Anillo de TaC poroso
| Lugar de origen: | China |
| Marca: | Semixlab |
| Número de modelo: | PTCR-001 |
| Titulación: | ISO9001 |
| Cantidad mínima de pedido: | conjunto 1 |
| Precio: | Contáctenos para cotización personalizada |
| Detalles del empaque: | paquete estándar de la exportación |
| Tiempo de entrega: | Tiempo de entrega: 45-50 días después de la confirmación del pedido |
| Condiciones de pago: | Maritimo |
| Capacidad de la fuente: | 200 sistemas / mes |
Descripción
El carburo de silicio (SiC), un material semiconductor de tercera generación, posee propiedades excepcionales como una banda prohibida alta, una alta conductividad térmica y un campo eléctrico de ruptura elevado, lo que lo hace crucial en campos como los vehículos de nuevas energías, el transporte ferroviario, las comunicaciones 5G y la electrónica de potencia. El crecimiento de monocristales de SiC requiere temperaturas extremadamente altas (>2000 °C) y entornos físicos y químicos rigurosos, lo que impone exigencias extremadamente altas a los componentes clave del equipo de crecimiento, como los crisoles y los componentes de campo térmico. Semixlab ofrece anillos porosos de carburo de tantalio (TaC), con sus propiedades físicas y químicas únicas, que se han convertido en un material ideal para optimizar el proceso de crecimiento de monocristales de SiC.
Características principales de los anillos de carburo de tantalio porosos
1. Estabilidad a altas temperaturas
El punto de fusión del carburo de tantalio es de hasta 3880 ℃, en el rango de temperatura de crecimiento del monocristal de carburo de silicio (2000-2500 ℃) para mantener la estabilidad estructural, evitar la deformación o volatilización.
Bajo coeficiente de expansión térmica (6.3×10⁻⁶/K), reduciendo el riesgo de grietas causadas por estrés térmico.
2. Inercia química
Tiene una fuerte compatibilidad con carburo de silicio, grafito y otros materiales, y no reacciona con vapor de silicio (Si) y carbono (C) a alta temperatura para evitar contaminar los cristales. Excelente resistencia a la corrosión de los gases de silicio/carbono.
Detalle rápido:
1. Otros nombres: Anillo de TaC poroso, carburo de tantalio poroso, anillo recubierto de TaC
2. Aplicación: Como componente central del sistema de campo térmico, el anillo de TaC poroso regula la distribución de la radiación de calor a través de su estructura porosa, reduce el gradiente de temperatura radial y mejora la uniformidad del crecimiento axial del monocristal de carburo de silicio. Combinado con el calentador de grafito, se pueden reducir los defectos de tensión del cristal causados por el sobrecalentamiento local.
3. Parámetros principales: punto de fusión del carburo de tantalio hasta 3880 ℃, en el rango de temperatura de crecimiento del monocristal de carburo de silicio (2000-2500 ℃) para mantener la estabilidad estructural, evitar la deformación o volatilización.
Bajo coeficiente de expansión térmica (6.3×10⁻⁶/K), reduciendo el riesgo de grietas causadas por estrés térmico.
Aplicaciones
La aplicación clave en el crecimiento del monocristal de carburo de silicio
1. Diseño del campo térmico y control de temperatura
Como componente central del sistema de campo térmico, el anillo poroso de TaC regula la distribución de la radiación de calor a través de su estructura porosa, reduce el gradiente de temperatura radial y mejora la uniformidad del crecimiento axial del cristal.
Combinado con el calentador de grafito, se pueden reducir los defectos de tensión del cristal causados por el sobrecalentamiento local.
2. Transporte de gas y optimización de la reacción
En el horno de crecimiento PVT, los anillos de TaC porosos se pueden utilizar como medio de difusión de gas para distribuir uniformemente el vapor de Si/C a la superficie del cristal semilla, lo que puede mejorar la tasa de crecimiento del cristal y la calidad del cristal.
La estructura porosa puede absorber trazas de impurezas (como iones metálicos) y mejorar la pureza del cristal (resistividad >10⁵ Ω·cm).
3. Conjunto de soporte de larga duración
En lugar de los materiales de grafito tradicionales, se utiliza para anillos de soporte de crisol o capas de aislamiento térmico para evitar el problema del polvo de grafito a altas temperaturas y prolongar la vida útil del equipo (>1000 horas).
La estructura porosa alivia la concentración de tensión térmica y reduce el riesgo de agrietamiento.
El anillo TaC se utiliza principalmente en el método PVT.
En resumen, el anillo de TaC poroso de Semixlab mejora la calidad del cristal: el campo térmico uniforme reduce la densidad de defectos y favorece la preparación de monocristales de SiC de gran tamaño, de 6 pulgadas o más.
Optimización de la eficiencia del proceso: acelere la eficiencia de la transmisión de gas y aumente la tasa de crecimiento en un 10-15%.
Reducir los costos de producción: Los componentes de larga duración reducen la frecuencia de mantenimiento del equipo y el costo general se reduce entre un 20 y un 30 %.
Ventaja Competitiva
Ventajas de la estructura porosa
La porosidad controlable (30-60%) optimiza la ruta de difusión del gas y promueve el transporte uniforme de vapor de Si/C en PVT (método de transporte físico de vapor).
La alta superficie específica mejora la eficiencia de la radiación térmica, ayuda a formar un campo de temperatura uniforme e inhibe los defectos de los cristales (como microtúbulos y dislocaciones).
