Fabricante de susceptores de grafito recubiertos de SiC CVD para MOCVD y epitaxia
Semixlab offers CVD SiC coated graphite susceptors for high-temperature semiconductor work – MOCVD, epitaxy, and wafer processing all fall within their use case. Each susceptor starts with a high-purity graphite base, then gets a uniform layer of silicon carbide applied via chemical vapour deposition. The graphite gives you good thermal response, while the SiC adds chemical inertness and surface hardness.
Mareas Ideales para Lecciones
Descripción general del producto
In epitaxial growth, the susceptor has a direct influence on how uniformly wafers heat up and how consistent the growth environment stays across a run. Semixlab's CVD SiC coated susceptors are made from dense graphite and coated with our SiC process. What do they bring?
● Buena conducción térmica
● Perfiles de temperatura uniformes en toda la oblea
● Sólida resistencia a los productos químicos de proceso.
● Low particle shedding
● Mayor vida útil de las piezas en zonas calientes
The CVD coating forms a dense SiC skin that protects the graphite from aggressive gases and boosts the component's overall robustness.
Características principales
High Purity Graphite Substrate
We use graphite grades that give you:
● Low impurity counts
● Respuesta mecánica predecible
● Conducción térmica suficiente
● Buena tolerancia al choque térmico
This graphite holds up well during fast heat-up and cool-down cycles.
Recubrimiento uniforme de SiC mediante CVD
The SiC layer provides:
● High surface hardness
● Buena protección contra la oxidación
● Mayor resistencia a la corrosión
● Menor riesgo de contaminación
Coating thickness and surface finish can be varied to suit your particular process.
Excelente uniformidad térmica
Para la epitaxia, es fundamental obtener un campo térmico estable. La combinación de la conductividad del grafito y las propiedades superficiales del SiC contribuye a lograr lo siguiente:
● Temperaturas uniformes de las obleas
● More stable processing
● Mayor repetibilidad de una ejecución a otra
Estabilidad a alta temperatura
Estos susceptores están diseñados para soportar condiciones extremas en el sector de los semiconductores:
● High operating temperatures
● Ciclos térmicos frecuentes
● Estabilidad sostenida del proceso durante largos períodos
¿Por qué elegir Semixlab?
Tecnología avanzada de recubrimiento CVD
Tenemos experiencia práctica con materiales a base de carbono y recubrimientos CVD, y podemos adaptar componentes de grafito recubiertos de SiC a su aplicación específica de semiconductores.
Capacidad de fabricación a medida
Nos encargamos de:
● Prototipos
● Tiradas cortas
● Volume production
● Tamaños y diseños personalizados
Control de calidad
Every part gets checked for:
● Precisión dimensional
● Estado de la superficie
● Uniformidad del recubrimiento
● Fiabilidad del proceso
Especificaciones
| Parámetro | Especificación |
| Producto | CVD SiC Coated Graphite Susceptor |
| Material de base | Grafito de alta pureza |
| Material de recubrimiento | CVD Silicon Carbide (SiC) |
| Pureza del SiC | ≥99.999% (típico) |
| Temperatura de Funcionamiento | Hasta 1600 °C (dependiendo del proceso) |
| Espesor del recubrimiento | Personalizable |
| Acabado de la superficie | Customised per application |
| Diámetro | Personalizado |
| Aplicación | MOCVD, epitaxia, procesamiento de semiconductores |
Aplicaciones
| tipo de material | Procesos típicos | Wafer Materials |
| Reactores MOCVD | Epitaxia de LED de GaN, crecimiento de semiconductores compuestos, deposición de películas delgadas | GaN, InGaN, AlGaN |
| Sistemas de epitaxia | Crecimiento epitaxial de SiC, epitaxia de semiconductores III-V | SiC, GaAs, InP |
| Herramientas para el procesamiento de obleas | Soporte para altas temperaturas, pruebas de I+D | Silicio, SiC, GaN |
Nuestros Servicios

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